日本物理学会学生優秀発表賞 募集要領

日本物理学会では、2018年秋季大会(2018年9月9日〜12日)におきまして、優れた講演発表を行った学生の方々に対して「日本物理学会学生優秀発表賞」(旧・学生賞(2017年春〜2018年春))を授与いたします。 領域9では,2018年秋季大会におきまして、以下の要領で募集致します。講演申し込みまで期日が迫ってからのご案内で申し訳ございませんが、 発表を予定されている学生の方々は、奮ってご応募下さい。本賞は,領域9で審査を行い選考した候補者を,日本物理学会が表彰するものです。

第73回年次大会につきましては、以下の要領で募集致します。

【対象とする講演】

 ポスター講演のみとします。

【応募資格、要件】

  1. 講演申し込み時に、大学、大学院または同等の機関に所属し、学部、修士、博士課程および高専専攻科に在籍されている方を対象とします。
  2. 応募した発表の筆頭著者であることが必要です。

【応募手続き】

講演申し込み時に、講演概要の文の最初に「賞応募希望(学年)」と明記して下さい。

【審査方法】

 審査は、領域9に関係する複数の研究者により行います。

【その他】

  1. 領域9ポスターセッションの日程はプログラム編成時に決定します。申し込み時点では決まっておりません点、あらかじめご承知おき下さい。
  2. 応募方法などについて不明な点があれば、領域運営委員にお問い合わせ下さい。 (メールアドレス:committee_r9@jps.or.jp
  3. 審査結果は領域ホームページに掲載します。また次の学会の領域9インフォーマルミーティングにおいて表彰を行います。
  4. 対象とする講演や実施方法等は、実施状況を踏まえて領域9インフォーマルミーティングで今後継続的に検討していきます。

  領域9 学生賞受賞者

第4回(2018年 秋季大会)授賞者

授賞式 2018年9月11日(火) 17:30-17:50 C116会場
講演者(敬称略) 講演タイトル
志満津 宏樹
名大院工
受賞式写真(代理:柚原惇司先生)
Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造
野口 亮
東大物性研
受賞式写真
擬一次元物質β-Bi4I4における弱いトポロジカル絶縁体相の発見とそのトポロジカル相制御

第3回(2018年 年次大会)授賞者

授賞式 2018年3月22日(土) 17:30-18:30 K603会場
講演者(敬称略) 講演タイトル
遠藤 由大
東大理
全反射高速陽電子回折法による2層グラフェン層間化合物の構造解析
角田 一樹
広大理
トポロジカル絶縁体(Sb,Bi)2Te3における反転分布現象の観測と制御

第2回(2017年 秋季大会)授賞者

授賞式 2017年9月22日(土) 17:30-18:30 J17会場
講演者(敬称略) 講演タイトル
伊藤 俊
東大物性研
表面吸着アルカリ金属原子からの電子ドーピングによるバンド構造の変形

第1回(2017年 年次大会)授賞者

授賞式 2017年3月18日(土) 17:00-18:00 D42会場
講演者(敬称略) 講演タイトル
染谷 隆史
東大物性研
軟X線時間分解 光電子分光法によるグラフェン/SiC界面の電荷移動ダイナミクスの研究
津村 ゆり子
横市大院ナノ
ドナー・アクセ プター単分子積層によってCu(111)上に構築した分子ダイオードのSTM/STS観察